第四章 优化MOSFET模型

第四章 优化MOSFET模型 (第2/2页)

迟迟没有从数学模型层面出发，很好优化胡正明的MOSFET模型的结果。
　　
　　要知道此时离1985年过去了十三年。
　　
　　远在旧金山湾区的胡正明教授，每天早上和往常一样，先查阅一遍自己的邮箱。
　　
　　电子邮箱已经有十来年的历史，这十来年里，受益于电子邮箱，来自世界各地的科学家们交流变得更加频繁。
　　
　　对于胡正明来说，每天到办公室的第一件事，也从查收纸质邮件，变成了查收电子邮件。
　　
　　一封名为MOSFET模型优化的邮件，很快吸引了他的注意。
　　
　　毕竟作为该模型的创造者，胡正明本人也希望能够进一步优化它。
　　
　　可惜不管是他本人，还是其他科学家，都没有谁能够从数学模型的角度，对MOSFET进行优化。
　　
　　“......这种临界能量和观察到的时间依赖性可以用涉及=SisH键断裂的物理模型来解释。器件寿命与I-2sub9I1d9ΔV15t成正比。如果由于L小或Vd大等原因导致Isub变大，则τ会变小。因此，Isub（可能还有光发射）是τ的有力预测因子。
　　
　　已发现比例常数因不同技术而异，相差100倍，这为未来通过电介质/界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。一个简单的物理模型可以将沟道场Em与所有器件参数和偏置电压相关联。描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”
　　
　　因为胡正明构建的数学模型很简单，简单的描绘了MOSFET退化的本质。
　　
　　越是简单的模型，越难进行优化。
　　
　　但是这封邮件，为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。
　　
　　优化后的数学模型，能够解释更多的现象，从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。
　　
　　为了看这封邮件，胡正明完全忘了还有咖啡这回事。
　　
　　他看完核心部分后，再回过头去看了眼是谁发给他的邮件，zhouxin@，来自燕大的邮件。
　　
　　“周新？我没听过燕大半导体领域有这么一号人物啊？而且按理来说不应该发论文吗？”胡正明内心很是纳闷。
　　
　　能够做出这种级别创新的一般来说，不会是什么无名之辈。
　　
　　胡正明又看了下邮件的最后部分，邮件最后部分表达了希望来他手下读博。
　　
　　胡正明这下才懂，对方为什么给他发这封邮件。
　　
　　原来是通过这种方式来吸引他的注意力。
　　
　　之前他也收到过华国学生寄来类似的邮件，通过表达自己对科研的看法，以及读一些论文之后的想法，试图从他这里获得一封推荐信。
　　
　　放在二十年后，这叫套磁。
　　
　　只是这些华国学生的跨国邮件充其量只是一个想法。
　　
　　而周新发过来的，补充一点总述，就称得上一篇完整的论文，而是是可以发顶刊的论文。
　　
　　胡正明打算回一封邮件给对方，打一通电话，详细聊聊。
　　
　　如此高质量的论文，出自一名大学生之手还是很罕见的。
　　
　　胡正明希望通过直接通话，对对方的水平进行进一步的确认。